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      氣體在半導體外延中起到的作用


      外延生長實際上主要是一個化學反應過程。硅外延生長使用的主要氣源是氫氣和氯硅烷類,如四氯化硅(SiCl4)、三氯甲硅烷(SiHCl3)和二氯甲硅烷(SiH2Cl2)。另外,為了降低生長溫度,也經常使用硅烷作為氣源。選擇使用哪種氣源主要由生長條件和外延層的規格來決定的,其中生長溫度是選擇氣源種類時要考慮的最重要因素。硅外延層生長速度和生長溫度的關系。?

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          常用的加氫反應器有兩類:一類用于高沸點液體或固體(固體需先溶于溶劑或加熱熔融)原料的液相加氫過程,如油脂加氫、重質油品的加氫裂解等。液相加氫常在加壓下進行,過程可以是間歇式的,也可以是連續的。間歇液相加氫常采用具有攪拌裝置的壓力釜或鼓泡反應器。連續液相加氫可采用涓流床反應器或氣、液、固三相同向連續流動的管式反應器。另一類反應器用于氣相連續加氫過程,如苯常壓氣相加氫制環己烷、一氧化碳高壓氣相加氫合成甲醇等,反應器的類型可以是列管式或塔式。
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