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      氣體在半導體外延中起到的作用


      外延生長實際上主要是一個化學反應過程。硅外延生長使用的主要氣源是氫氣和氯硅烷類,如四氯化硅(SiCl4)、三氯甲硅烷(SiHCl3)和二氯甲硅烷(SiH2Cl2)。另外,為了降低生長溫度,也經常使用硅烷作為氣源。選擇使用哪種氣源主要由生長條件和外延層的規格來決定的,其中生長溫度是選擇氣源種類時要考慮的最重要因素。硅外延層生長速度和生長溫度的關系。?

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