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      氣體在半導體外延中起到的作用


      外延生長實際上主要是一個化學反應過程。硅外延生長使用的主要氣源是氫氣和氯硅烷類,如四氯化硅(SiCl4)、三氯甲硅烷(SiHCl3)和二氯甲硅烷(SiH2Cl2)。另外,為了降低生長溫度,也經常使用硅烷作為氣源。選擇使用哪種氣源主要由生長條件和外延層的規格來決定的,其中生長溫度是選擇氣源種類時要考慮的最重要因素。硅外延層生長速度和生長溫度的關系。?

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      99.9~99.995%
      三氟化氮是一種強氧化劑。三氟化氮在微電子工業中作為一種優良的等離子蝕刻氣體,在離子蝕刻時裂解為活性氟離子,這些氟離子對硅和鎢化合物,高純三氟化氮具有優異的蝕刻速率和選擇性(對氧化硅和硅),它在蝕刻時,在蝕刻物表面不留任何殘留物,是非常良好的清洗劑,同時在芯片制造、高能激光器方面得到了大量的運用。
      包裝物尺寸:8L/12L/47L/470L/(另接受定制)?
      CAS:7783-54-2
      閥門型號:CGA-350 / DISS-632?
      2812901100
      企業名稱含義:貝斯特即英文“best”的音譯,含義為:要做就做最好。?
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