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      氣體在半導體外延中起到的作用


      外延生長實際上主要是一個化學反應過程。硅外延生長使用的主要氣源是氫氣和氯硅烷類,如四氯化硅(SiCl4)、三氯甲硅烷(SiHCl3)和二氯甲硅烷(SiH2Cl2)。另外,為了降低生長溫度,也經常使用硅烷作為氣源。選擇使用哪種氣源主要由生長條件和外延層的規格來決定的,其中生長溫度是選擇氣源種類時要考慮的最重要因素。硅外延層生長速度和生長溫度的關系。?

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      液氮,液態的氮氣。是惰性的,無色,無臭,無腐蝕性,不可燃,溫度極低。氮構成了大氣的大部分(體積比78.03%,重量比75.5%)。氮是不活潑的,不支持燃燒。汽化時大量吸熱接觸造成凍傷。氮氣占空氣78%。

      在常壓下,液氮溫度為-196℃;1立方米的液氮可以膨脹至696立方米 21°C的純氣態氮。液氮是無色、無味,在高壓下低溫的液體和氣體。液氮(常寫為LN2),是氮氣在低溫下形成的液體形態。氮的沸點為-196°C,在正常大氣壓下溫度如果在這以下就會形成液氮;如果加壓,可以在更高的溫度下得到液氮。

      在工業中,液態氮是由空氣分餾而得。先將空氣凈化后,在加壓、冷卻的環境下液化,借由空氣中各組分之沸點不同加以分離。人體皮膚直接接觸液氮瞬間是沒有問題的,超過2秒才會凍傷且不可逆轉。

      液態氮氣包裝運輸采用槽罐車運輸,杜瓦罐運輸、快易冷輸送、散裝生物罐?
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