氣體在半導體外延中起到的作用

外延生長實際上主要是一個化學反應過程。硅外延生長使用的主要氣源是氫氣和氯硅烷類，如四氯化硅（SiCl4）、三氯甲硅烷（SiHCl3）和二氯甲硅烷（SiH2Cl2）。另外，為了降低生長溫度，也經常使用硅烷作為氣源。選擇使用哪種氣源主要由生長條件和外延層的規格來決定的，其中生長溫度是選擇氣源種類時要考慮的最重要因素。硅外延層生長速度和生長溫度的關系。?

由于氣體放電燈電光源在燈的發光效率和工作壽命方面具有白熾燈無可比擬的優勢，因此，從它誕生之日起就一直受到人們的廣泛關注，由此派生的產品可謂異彩紛呈，氣體放電電光源，主要是指弧光放電電光源和輝光放電電光源，例如熒光燈、高強度氣體放電燈和霓虹燈等?。